يك رايانه بدون سيليكون ساخته شد

سيليكون در فناوري‌ نيمه‌هادي كه زيربناي تلفن‌هاي هوشمند، رايانه‌ها، وسايل نقليه الكتريكي و موارد ديگر است، پادشاهي مي‌كند، اما به گفته گروهي به رهبري محققان دانشگاه ايالتي پنسيلوانيا، سيليكون ممكن است در حال از دست دادن تاج و تخت خود باشد. به گزارش ايسنا، محققان براي اولين بار در جهان، از مواد دوبُعدي (۲D) كه تنها به اندازه يك اتم ضخامت دارند و برخلاف سيليكون، خواص خود را در آن مقياس حفظ مي‌كنند، براي توسعه رايانه‌اي با قابليت انجام عمليات ساده استفاده كردند. به نقل از ساينس‌ديلي، محققان مي‌گويند كه اين پيشرفت كه در روز ۱۱ ژوئن در مجله نيچر منتشر شد، نشان‌دهنده جهشي بزرگ به سوي تحقق الكترونيك نازك‌تر، سريع‌تر و با بهره‌وري انرژي بيشتر است. آنها يك رايانه نيمه‌هادي اكسيد فلز مكمل (CMOS) - كه در قلب تقريبا هر دستگاه الكترونيكي مدرن قرار دارد، بدون تكيه بر سيليكون ايجاد كردند. در عوض، آنها از دو ماده دوبعدي مختلف براي توسعه هر دو نوع ترانزيستور مورد نياز براي كنترل جريان الكتريكي در رايانه‌هاي CMOS استفاده كردند. دي‌سولفيد موليبدن براي ترانزيستورهاي نوع n و دي‌سلنيد تنگستن براي ترانزيستورهاي نوع p.
ساپتارشي داس (Saptarshi Das)، استاد علوم مهندسي و مكانيك در دانشگاه ايالتي پنسيلوانيا كه رهبري اين تحقيق را بر عهده داشت، مي‌گويد: سيليكون با امكان كوچك‌سازي مداوم ترانزيستورهاي اثر ميداني (FET)، پيشرفت‌هاي چشمگيري را در الكترونيك براي دهه‌ها به ارمغان آورده است. ترانزيستورهاي اثر ميداني با استفاده از يك ميدان الكتريكي كه هنگام اعمال ولتاژ توليد مي‌شود، جريان را كنترل مي‌كنند. با اين حال، با كوچك شدن دستگاه‌هاي سيليكوني، عملكرد آنها شروع به كاهش مي‌كند. در مقابل، مواد دو بعدي، خواص الكترونيكي استثنايي خود را در ضخامت اتمي حفظ مي‌كنند و مسيري اميدواركننده را ارايه مي‌دهند.